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GaN基板市場の規模とシェア、製品タイプ別(GaN-on-SiC基板、GaN-on-Si基板、GaN-on-Sapphire基板、バルクGaN基板、その他)、ウェーハサイズ、最終用途産業、アプリケーション - 成長傾向、地域別分析(米国、日本、韓国、英国、ドイツ)、競合的ポジショニング、2025~2034年の世界予測レポート

Report ID: FBI 19937

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Published Date: May-2025

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Format : PDF, Excel

市場の見通し:

GaN基板市場規模は、2024年の2億6,313万米ドルから2034年には308億1,000万米ドルに拡大し、2025年から2034年の間に10.3%を超えるCAGRを示すと予想されています。2025年には、業界収益は2億8,681万米ドルに達すると推定されています。

Base Year Value (2024)

USD 263.13 Million

19-24 x.x %
25-34 x.x %

CAGR (2025-2034)

10.3%

19-24 x.x %
25-34 x.x %

Forecast Year Value (2034)

USD 30.81 Billion

19-24 x.x %
25-34 x.x %
GaN Substrate Market

Historical Data Period

2021-2024

GaN Substrate Market

Largest Region

Asia Pacific

GaN Substrate Market

Forecast Period

2025-2034

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市場動向:

成長ドライバーと機会:

GaN基板市場は、いくつかの主要な要因に牽引され、大幅な成長を遂げています。主な成長ドライバーの一つは、通信、自動車、民生用電子機器など、様々な用途における高効率パワーエレクトロニクスの需要の高まりです。GaN技術は、従来のシリコンベースの部品と比較して優れた効率と性能を備えており、業界がエネルギー消費量の削減と性能向上を目指す中で、魅力的な代替手段となっています。電気自動車や再生可能エネルギーシステムの普及も、これらの用途では高電圧と高温を効果的に管理できる高度なパワーデバイスが求められるため、重要な役割を果たしています。

さらに、RF(無線周波数)およびマイクロ波通信分野におけるGaN技術の急速な進歩も市場を牽引しています。これらの分野におけるGaNの採用拡大は、高速データ伝送と優れた信号品質に対するニーズの高まりによって促進されています。さらに、防衛・航空宇宙分野でもビジネスチャンスが生まれており、過酷な環境でも動作し、高い信頼性と性能を提供するGaNベースのデバイスがますます求められています。

もう一つの大きな機会は、人工知能(AI)や機械学習といった新興アプリケーションへのGaN技術の統合にあります。これらの技術は、大規模なデータセットを効率的に処理できる強力なコンピューティング能力を必要としており、GaN基板はこれらの要件を満たす準備ができています。GaN材料と製造プロセスに関する継続的な研究開発は、基板の品質と性能の向上につながり、市場拡大の道筋をさらに拓くことが期待されています。

業界の制約:

有望な成長見通しがあるにもかかわらず、GaN基板市場は、その拡大を阻害する可能性のあるいくつかの業界の制約に直面しています。注目すべき課題の一つは、従来の基板と比較してGaNの製造コストが高いことです。GaNの製造プロセスは多くの場合、より複雑で特殊な装置を必要とするため、初期投資額が高額になります。このコスト要因は、中小企業にとって参入障壁となり、特にコスト重視のアプリケーションにおいて、普及を遅らせる可能性があります。

さらに、GaN技術の開発と活用に必要な熟練労働者と専門知識の確保も、もう一つの制約となっています。 GaN技術はまだ比較的新しいため、GaN材料を効果的に扱える人材は限られており、これがイノベーションと普及率の阻害要因となっています。

さらに、GaNデバイスの熱管理と信頼性に関する技術的な課題も存在します。これらのデバイスは高温で動作するため、性能を維持し寿命を延ばすためには効果的な冷却ソリューションが必要であり、さらなる研究開発投資が必要となります。これらの技術的ハードルは市場浸透を遅らせ、長期的な信頼性に不安を持つ潜在的なエンドユーザーの購入を阻む可能性があります。

最後に、確立されたシリコンベースの技術をめぐる競争環境は、GaN基板市場の急速な成長を抑制する可能性があります。多くの企業が既存のシリコンサプライチェーンに固執しているため、GaN技術は、その優位性にもかかわらず、必要な市場シェアを獲得することが困難となっています。

地域別予報:

GaN Substrate Market

Largest Region

Asia Pacific

XX% Market Share in 2024

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北米

北米のGaN基板市場は、主に力強い技術進歩と高性能電子機器への需要の高まりによって牽引されています。米国は、GaN技術に携わる多数の研究機関や半導体企業を擁し、主要プレーヤーとして際立っています。大手企業の存在と確立された製造インフラも、この地域の成長見通しをさらに強固なものにしています。カナダ市場も、先進的な製造技術と電子機器アプリケーションの促進に向けた政府の取り組みに後押しされ、成長を遂げています。

アジア太平洋地域

アジア太平洋地域は、日本、韓国、中国の大きな貢献により、GaN基板市場を牽引すると予測されています。日本は研究開発に力を入れており、GaN技術のリーダーであり続けています。日本企業は、パワーエレクトロニクスやRFアプリケーション向けのGaN材料に多額の投資を行っており、イノベーションへのコミットメントを反映しています。韓国も同様の立場にあり、先進的な半導体産業が、特に通信および民生用電子機器におけるGaN基板の需要を牽引しています。中国は半導体生産能力の強化を目指しており、国内生産の拡大と輸入依存度の低減を目的とした政府支援も追い風となり、市場は急速に成長しています。

ヨーロッパ

ヨーロッパでは、GaN基板市場が勢いを増していますが、アジア太平洋地域との激しい競争に直面しています。英国は重要なプレーヤーとして台頭しており、自動車および産業用途向けにGaN技術の活用に取り組む新興企業や既存企業が増えています。ドイツも、強固な産業基盤と持続可能なエネルギーソリューションへの取り組みを活かし、これに追随しています。フランスもGaN市場で大きな躍進を遂げており、エネルギー効率の高いソリューションや次世代電子機器へのGaN基板の活用に注力しています。ヨーロッパ全体のこの傾向は、アジア太平洋地域と比較すると比較的緩やかなペースではあるものの、GaN技術の採用に向けた動きが全体として進んでいることを示しています。

Report Coverage & Deliverables

Historical Statistics Growth Forecasts Latest Trends & Innovations Market Segmentation Regional Opportunities Competitive Landscape
GaN Substrate Market
GaN Substrate Market

セグメンテーション分析:

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セグメンテーションの観点から、世界の GaN 基板市場は、製品タイプ、ウェーハ サイズ、最終用途産業、アプリケーションに基づいて分析されます。

製品タイプ

GaN基板市場は、主にバルクGaNとエピタキシャルGaNの2つの主要な製品タイプに分類されます。優れた熱伝導性と電気特性で知られるバルクGaN基板は、高出力および高周波アプリケーションで広く使用されており、性能を重視するメーカーにとって好ましい選択肢となっています。一方、エピタキシャルGaN基板は、様々な電子機器への統合と高度なデバイス構造への対応能力により、注目を集めています。中でも、バルクGaNセグメントは、パワーエレクトロニクスと通信分野における需要に牽引され、大幅な成長が見込まれています。

ウェハサイズ

ウェハサイズは、GaN基板市場に影響を与えるもう一つの重要なセグメントであり、主に2インチ、4インチ、6インチのウェハに分類されます。4インチウェハは、特にLEDおよびRF分野において、様々なアプリケーションにおいてコスト効率と性能のバランスが取れているため、市場を席巻しています。しかし、6インチウエハーは、高集積化を容易にし、ウエハー1枚あたりのデバイス数を増やし、コスト削減を図ることができるため、最も急速な成長が見込まれています。この大型ウエハーへの移行は、高効率パワーデバイスの需要増加と合致しています。

最終用途産業

GaN基板の最終用途産業には、自動車、民生用電子機器、通信、航空宇宙・防衛などがあります。通信産業は、5Gネットワ​​ークやその他の通信技術における高効率パワーアンプの需要に後押しされ、最大の市場規模を維持すると予想されています。自動車セクターは、特に電気自動車の普及に伴い、GaNデバイスが電動ドライブトレインや充電システムの効率と性能向上に不可欠であるため、急速な成長が見込まれています。民生用電子機器も大きな貢献をしていますが、前述のセクターと比較して成長は安定すると予想されています。

用途

用途別に見ると、GaN基板市場は、パワーエレクトロニクス、オプトエレクトロニクス、RFデバイスの3つに分類できます。パワーエレクトロニクス分野は、電力変換および管理システムの効率向上を目的とした用途が主流になると予想されています。この分野におけるGaNの需要は、主に様々な最終用途におけるエネルギー効率の高いシステムへのニーズの高まりによって牽引されています。RFデバイスも、無線通信技術の進歩と、民生用および産業用アプリケーションにおける高周波化の推進により、大幅な成長が見込まれています。オプトエレクトロニクスは、市場規模は小さいものの、LED技術とレーザーアプリケーションの急速な発展により、市場の成長が加速しています。

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競争環境:

GaN基板市場における競争環境は、急速な技術進歩と高性能電子デバイスへの需要の高まりを特徴としています。主要企業は、製品ラインナップの強化と市場プレゼンスの拡大を目指し、戦略的提携、合併、買収に注力しています。パワーエレクトロニクス、RFデバイス、オプトエレクトロニクスなど、様々な用途におけるGaN基板の採用拡大は、主要メーカー間の競争を激化させています。さらに、企業は効率、熱管理、拡張性を向上させた次世代基板の開発に多額の研究開発投資を行っており、市場競争はさらに激化しています。

主要市場プレーヤー

1. Cree, Inc.

2. 三菱ケミカル株式会社

3. NXP Semiconductors

4. Qorvo, Inc.

5. II-VI Incorporated

6. GaN Systems Inc.

7. Azzurro Semiconductor

8. Nicklaus Inc.

9. サンケン電気株式会社

10. フランクフルト大学

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